Speakers
Description
ИЯФ СО РАН ведет разработку ускорительной части ионного имплантера ТМ200Т для полупроводниковой промышленности. Важной частью имплантера является ионный источник, в котором происходит генерация и ускорение необходимых ионов до требуемой энергии. По проекту ионный источник должен обеспечить ток пучка ионов 11B величиной равной 20 мА на энергии 80 кэВ, для чего необходим полный ток ионов вплоть до 200 мА на рабочем газе BF3. Для обеспечения полного ионного тока такой величины предложена оригинальная схема ионного источника, основанная на разряде Пеннинга. Фокусировка и извлечение ионного пучка обеспечиваются щелевой трех-электродной ионно-оптической системой с площадью эмиссионной поверхности 50×4 мм2. В работе приведены схема ионного источника и результаты первых экспериментов.
